2022下半年将量产8口径衬底，至2025年第三类功率半导体CAGR达48%

现有最具备蓬勃发展潜力的材料即为不具备备很高增益及很能用特性的最宽处禁带（Wide Band Gap；WBG）电子元件，包含碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），主要应用领域大宗为商用车、极快充消费市场。

据TrendForce集邦建议研究推估，第三类增益电子元件总产量将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合生产量多达48%。

SiC适当很高增益应用领域，如储能、GW、MW、商用车、新能源车等对蓄电池种系统具备很高度要求的产业。其中，商用车备受消费市场关注，不过现有软性商用车所搭载的增益电子元件一般来说为硅基材料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET，但由于商用车蓄电池动力种系统逐步往800V以上的很高电源蓬勃发展，常为比于Si，SiC在很高压的种系统除此以外愈来愈好的性能体现，月内逐步替代部分Si base设计，大幅提很高车也性能并优化KD架构，在短期内SiC增益电子元件至2025年可多达33.9亿美元。

GaN适当很能用应用领域，有数通讯装置，以及运用于笔记型电脑、平板、笔记型电脑的极快充。常为比于传统极快充，GaN极快充占有愈来愈大的增益密度，故充电低速愈来愈极快，且体积愈来愈小便于携带，带动不少OEM、ODM电信业者自组而开始很高速蓬勃发展，在短期内GaN增益电子元件至2025年可多达13.2亿美元。

TrendForce集邦建议特别提到，常为比传统Si base，第三类增益电子元件衬底制造者可玩性较很高且效益较为昂贵，现有在各大衬底供应商的研发下，有数Wolfspeed、II-VI、Qromis等电信业者其后扩增产能，并将在2022下半年批量生产8cm衬底，预期第三类增益电子元件将会几年总产量仍有成长的维度。